Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

UG06B A1G

DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Paket/Kılıf
Axial
Seri / Aile Numarası
UG06B

UG06B A1G Hakkında

UG06B A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 100V 600mA kapasiteli genel amaçlı fast recovery diyottur. T-18 axial kasa içinde sunulan bu diyot, 15 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, elektrik güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve AC doğrultma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Forward voltage 950 mV @ 600mA ve reverse leakage 5µA @ 100V'dur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 600mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 100 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case T-18, Axial
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 15 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TS-1
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 950 mV @ 600 mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok