Transistörler - JFET

UF3N170400B7S

JFET 1700V SIC

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
UF3N170400B7S

UF3N170400B7S Hakkında

UF3N170400B7S, UnitedSiC tarafından üretilen 1700V N-Channel JFET transistördür. Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. Maksimum 6.8A drain akımı ve 500mOhm RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. 68W güç yönetimi kapasitesi ile AC-DC güç kaynakları, invertörler, şarj cihazları ve endüstriyel güç dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve D²Pak (TO-263-8) kasa türüne sahiptir. Düşük açık direnç ve yüksek voltaj direnci sayesinde enerji verimliliği gerektiren sistemlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.2 µA @ 1700 V
Current Drain (Id) - Max 6.8 A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 100V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power - Max 68 W
Resistance - RDS(On) 500 mOhms
Supplier Device Package D2PAK-7
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok