Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

UF1DHB0G

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Paket/Kılıf
Axial
Seri / Aile Numarası
UF1DHB0G

UF1DHB0G Hakkında

UF1DHB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileşme diyotudur. 200V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. DO-204AL (DO-41) axial paket ile sunulan bu bileşen, 50ns ters iyileşme süresine ve 1V @ 1A ileri gerilim düşüşüne sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, adaptörler, anahtarlama devreler ve RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 200 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-204AL, DO-41, Axial
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-204AL (DO-41)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 1 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok