Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TTC1949-Y,LF
NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- TTC1949
TTC1949-Y,LF Hakkında
TTC1949-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency sayesinde yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerine uygundur. 200mW maksimum güç disipasyonu ile sınırlı güç gerektiren devrelerde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA akımda 120 minimum değerdedir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, RF devreler, anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok