Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TTC1949-GR,LF
NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- TTC1949
TTC1949-GR,LF Hakkında
TTC1949-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistördür. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine ve RF/IF devrelerinde kullanılabilir. 180 minimum DC akım kazanç (100mA, 1V koşullarında) ve 400mV saturasyon voltajı ile verimli amplifikasyon sağlar. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 200mW güç tüketimi ile uzun ömürlü çalışma garantiler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok