Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TTC008(Q)
TRANS NPN 285V 1.5A PW MOLD2
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- TTC008
TTC008(Q) Hakkında
TTC008(Q), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 285V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrol, aydınlatma, switching uygulamaları ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 80 minimum hFE (DC current gain), 1V Vce saturation voltajı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile stabil çalışma karakteristiği sunar. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1 W |
| Supplier Device Package | PW-MOLD2 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 62.5mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 285 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok