Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TTA003,L1NQ(O

TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TTA003

TTA003,L1NQ(O Hakkında

TTA003,L1NQ(O, Toshiba tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun bir komponenttir. 10W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan TTA003, 150°C'ye kadar çalışan ortam sıcaklığında güvenilir performans sunar. Düşük ICBO akımı (100nA max) ve 100 minimum hFE (500mA, 2V'de) ile güç amplifikatörü, anahtar devreler ve genel amaçlı transistör uygulamalarında kullanılır. 500mV maksimum VCE(sat) değeri hızlı anahtar işlemi gerektiren tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 10 W
Supplier Device Package PW-MOLD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok