Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TT8J11TCR
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Seri / Aile Numarası
- TT8J11T
TT8J11TCR Hakkında
TT8J11TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3.5A sürekli dren akımı (Id) özelliğine sahiptir. Logic level gate sürüşü sayesinde 1.5V ile kontrol edilebilir. 43mOhm maksimum on-state direnci (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 650mW güç tüketebilen bu bileşen, 22nC gate charge ve 2600pF input kapasitansı değerlerine sahiptir. Surface mount pakette (8-SMD) sunulan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve elektronik kontrol sistemlerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 650mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSST |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok