Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

TSUP10M60SH S1G

10A, 60V, SCHOTTKY RECTIFIER

Paket/Kılıf
TO-277
Seri / Aile Numarası
TSUP10M60SH

TSUP10M60SH S1G Hakkında

TSUP10M60SH S1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 10A/60V kapasiteli Schottky doğrultma diyotudur. Fast recovery karakteristiği ile 500ns'den daha kısa enerji kapanış süresi sağlayan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 640mV maksimum ileri gerilim düşüşü ile güç kaybı minimize edilir. Surface Mount teknolojisi ile TO-277/PowerDFN paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük kapasitans değeri (658pF @ 4V) ve minimal reverse leakage akımı (250µA @ 60V) sayesinde pik geri kazanım zamanları kritik olan güç dönüştürücüler, şarj devreler ve doğrultma uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 658pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 10A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 250 µA @ 60 V
Diode Type Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-277, 3-PowerDFN
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package SMPC4.6U
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 640 mV @ 10 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok