Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TSP10H60S S1G
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSP10H60S
TSP10H60S S1G Hakkında
TSP10H60S S1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 60V/10A Schottky doğrultma diyotudur. Surface mount TO-277A (3-PowerDFN) paketinde sunulan bu bileşen, düşük ön gerilim düşüşü (640 mV @ 10A) ve hızlı recovery karakteristiği (≤500ns) ile özellikle anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 150 µA maksimum ters kaçak akımı (60V'da) ile verimli tasarımlara olanak tanır. Fast recovery özelliği sayesinde elektromanyetik parazit (EMI) azaltılırken, 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi güç uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150 µA @ 60 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 640 mV @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok