Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

TSM680P06DPQ56 RLG

MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TSM680P06DPQ56

TSM680P06DPQ56 RLG Hakkında

TSM680P06DPQ56 RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj derecesi ve 12A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN (5x6mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnç (Rds On: 68mOhm @ 6A, 10V) ve hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C aralığında çalışan komponentin maksimum güç tüketimi 3.5W'tır. Gate charge değeri 16.4nC olup input capacitance 870pF'dir. Voltage regulator, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan endüstriyel ve consumer elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 3.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok