Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- TSM6502CR
TSM6502CR RLG Hakkında
TSM6502CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel ve P-Channel MOSFET dizisi kombinasyonudur. 60V Vdss ile çalışan bu komponent, N-Channel'de 24A ve P-Channel'de 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değerleri sırasıyla 34mΩ (N-CH) ve 68mΩ (P-CH) olarak belirtilmiştir. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı paket ile sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 10.3nC ve 9.5nC seviyesinde olup, input kapasitansi 1159pF ve 930pF'dir. Darbe devreler, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama releylerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 40W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok