Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TSM250NB06LDCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- TSM250NB06LDCR
TSM250NB06LDCR RLG Hakkında
TSM250NB06LDCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistör dizisidir. 60V Drain-Source voltaj desteği ve 6A (Ta) / 29A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 25mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. Surface mount 8-PDFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1314pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok