Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

TSM250N02DCQ RFG

MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN

Paket/Kılıf
6-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
TSM250N02DCQ

TSM250N02DCQ RFG Hakkında

TSM250N02DCQ RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V Vdss ve 5.8A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 6-TDFN yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 25mΩ on-state direnci ve düşük kapısal yükü sayesinde hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 620mW maksimum güç dağıtımı ile şarj yönetimi, LED sürücüleri ve çeşitli DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 775pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 620mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok