Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TSM200N03DPQ33 RGG
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- TSM200N03DPQ33
TSM200N03DPQ33 RGG Hakkında
TSM200N03DPQ33 RGG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 20mOhm on-state direnci ile enerji kaybını minimize eder. 8-pin PowerWDFN (3x3mm) SMD paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarının kritik bileşenidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok