Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TSM150NB04LDCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- TSM150NB04LDCR
TSM150NB04LDCR RLG Hakkında
TSM150NB04LDCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 8A (Ta) / 37A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 15mOhm RDS(on) değeri düşük ısı kaybı ve verimli anahtarlama sağlar. 2W (Ta) / 40W (Tc) maksimum güç harcaması ile sınırlıdır. Surface mount 8-PDFN (5x6) paketlemesi ile compakt devre tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 966pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok