Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TSM110NB04DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- TSM110NB04DCR
TSM110NB04DCR RLG Hakkında
TSM110NB04DCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET'tir. 40V Vdss ile tasarlanan bu bileşen, 25°C'de 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan komponent, -55°C ile 155°C arasında çalışmaktadır. 11mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olan TSM110NB04DCR, 25nC gate charge karakteristiğiyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama regülatörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1506pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok