Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TSC966CT B0G
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- TSC966CT
TSC966CT B0G Hakkında
TSC966CT B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mA maksimum collector akımı ile orta gerilim ve düşük akım uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. 50MHz transition frequency ile RF uygulamalarında sınırlı kullanım alanına sahiptir. Through-hole montaj türü ile eski tasarımlar ve prototyping çalışmalarında tercih edilir. 1W maksimum güç disipasyonu ve 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ortamlarda kullanılabilir. Lojik devreler, küçük sinyal amplifikasyonu, darbe şekillendirme ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok