Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TSC5988CT B0G

TRANSISTOR NPN TO92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TSC5988CT

TSC5988CT B0G Hakkında

TSC5988CT B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 5A collector akımı, 120 minimum DC current gain (hFE) ve 130MHz transition frequency ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 350mV saturation voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sayesinde geniş ortam koşullarında kullanıma uygundur. Indüstriyel, tüketici elektroniği ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2A, 1V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 200mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok