Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TSC5802DCHC5G
TRANSISTOR, NPN, 450V, 2.5A, 18A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- TSC5802
TSC5802DCHC5G Hakkında
TSC5802DCHC5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 450V collector-emitter breakdown voltajı ve 2.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 30W maksimum güç disipasyon kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 5V şartlarında en az 50'dir. Vce doyum voltajı 2A akımda maksimum 3V'tur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir. 150°C üst çalışma sıcaklığı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Endüstriyel, tüketici ve telekomünikasyon uygulamalarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 30 W |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 600mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok