Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TS13002ACT B0G

TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 20A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TS13002

TS13002ACT B0G Hakkında

TS13002ACT B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 400V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 300mA kollektör akımı kapasitesine sahiptir. TO-92 paketinde sunulan transistör, 600mW güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 4MHz geçiş frekansı ve 25 minimum akım kazancı (hFE) özellikleri ile orta-frekans uygulamalarında uygun performans sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığına dayanıklı olması nedeniyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde breadboard ve geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition 4MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 600 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok