Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TS13002ACT A3G
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 20A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- TS13002
TS13002ACT A3G Hakkında
TS13002ACT A3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 400V collector-emitter breakdown gerilimi ve 300mA maksimum collector akımı ile güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 600mW maksimum dissipasyon gücü ve 25 (minimum hFE @ 100mA, 10V) akım kazancı ile kontrollü amplifikasyon sağlar. 4MHz transition frekansı orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Through-hole TO-92 paketlemesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketim ürünlerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 10V |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok