Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS8E65F,S1Q
DODE SCHOTTKY 650V TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS8E65F
TRS8E65F,S1Q Hakkında
Toshiba TRS8E65F,S1Q, Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim dayanımı ve 8A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-2 paketinde montajlanmış, delik delik (Through Hole) takılmaya uygundur. Forward voltajı 8A akımda 1.6V'dur. 28pF kapasitans değeri ile parazitik gecikmeler minimaldır. Ters bozulma süresi (reverse recovery time) 0 ns olup, 500mA'dan yüksek akımlarda kurtarma süresi yoktur. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir. Yüksek güç uygulamalarında, anahtarlı güç kaynakları, UPS sistemleri ve endüstriyel konvertörlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 28pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok