Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS8E65C,S1Q
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS8E65C
TRS8E65C,S1Q Hakkında
TRS8E65C,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky doğrultma diyotudur. 650V ters gerilim derecelendirmesi ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-2 paketinde sağlanan bu diyot, düşük ön gerilime (1.7V @ 8A) ve sıfır recovery time özelliğine sahiptir. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilir. Power factor correction (PFC) devreleri, anahtarlama güç kaynakları, inverter uygulamaları ve yüksek frekans doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Yüksek sıcaklık stabiliyeti ve minimal kapasite değeri (44pF @ 650V) ön koşul olarak gerekli olan uygulamalar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok