Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS8A65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=8A
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS8A65F
TRS8A65F,S1Q Hakkında
TRS8A65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V DC ters gerilime kadar dayanabilen bu bileşen, 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-220-2 paketinde sunulan diyot, 1.6V maksimum ileri gerilime (8A'de) ve 40µA maksimum ters kaçak akımına (650V'de) sahiptir. Sıfır ters kurtarma süresi (trr) özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında kayıpları azaltır. 175°C'ye kadar çalışan bileşen, güç kaynakları, invertörler, çevirgeçler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Through-hole montajı standart PCB uygulamalarında kolaylık sağlar. 1MHz'de 28pF kapasitans değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 28pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok