Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS6E65F,S1Q
DODE SCHOTTKY 650V TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS6E65F
TRS6E65F,S1Q Hakkında
TRS6E65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen 650V Silicon Carbide Schottky diyotudur. 6A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. TO-220-2 paket tipi ile delme montajına uygun olarak tasarlanmıştır. 1.6V forward voltaj düşüşü ve 30µA reverse leakage akımı özellikleri vardır. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 0ns reverse recovery time sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 22pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 6 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok