Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS6A65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=6A
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS6A65F
TRS6A65F,S1Q Hakkında
TRS6A65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen 650V 6A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, 1.6V forward voltaj düşüşü ve 30µA reverse leakage akımı özellikleriyle doğrultma uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr) sayesinde anahtarlama kayıpları minimize edilir. 175°C maksimum junction sıcaklığında stabil çalışır. Güç kaynakları, invertörler, solar sistemler ve endüstriyel dönüştürücülerde yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 22pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok