Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS4E65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS4E65F
TRS4E65F,S1Q Hakkında
TRS4E65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V reverse voltage ve 4A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-2L paketlemesi ile through-hole montaj uygulamalarında kullanılır. 1.6V forward voltage @ 4A değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Zero reverse recovery time özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında yüksek hız performansı gösterir. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrollörleri ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 16pF kapasitans @ 650V, 1MHz ve 20µA @ 650V reverse leakage akımı özellikleri ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok