Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS4A65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS4A65F
TRS4A65F,S1Q Hakkında
TRS4A65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen 650V 4A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-220-2L paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında doğrultucu görevini yerine getirir. 1.6V forward voltajı ile karakterize edilen diyot, 20µA ters sızıntı akımı ve zero reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren güç elektroniği devrelerine uygundur. 175°C maksimum kavşak sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel enerji dönüştürme, şarj cihazları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok