Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS3E65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=3A
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS3E65F
TRS3E65F,S1Q Hakkında
TRS3E65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen 650V/3A kapasiteli Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük ileriye doğru düşüşe (1.6V @ 3A) sahiptir. Sıfır reverse recovery time (trr) karakteristiği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Maksimum 175°C kalıp sıcaklığında çalışabilir ve 20µA @ 650V'de reverse leakage akımı gösterir. Endüstriyel güç kaynakları, inverter devreleri, hızlı diyot uygulamaları ve yüksek frekansı anahtarlama devrelerinde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 12pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok