Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS2E65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L IF=2A VRRM=
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS2E65F
TRS2E65F,S1Q Hakkında
TRS2E65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyottur. 650V ters gerilim dayanımı ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 1.6V maksimum ileri gerilim düşümüne ve sıfır reverse recovery time'a sahiptir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen ve 8.7pF kapasitansı (650V, 1MHz) olan bu diyot, güç dönüştürme, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8.7pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok