Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
TRS20N65FB,S1F(S
DODE SCHOTTKY 650V TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- TRS20N65FB
TRS20N65FB,S1F(S Hakkında
TRS20N65FB,S1F(S, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky doğrultucu diyottur. 650V ters voltaj derecelendirilmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bileşen, hızlı anahtarlama özelliğine (0 ns geri kazanım süresi) ve düşük ileri gerilim düşüşüne (1.7V @ 10A) sahiptir. TO-247-3 paketinde monte edilen bu diyot, enerji dönüştürme devreleri, güç kaynakları, invertörler ve boost converterlerde kullanılır. 175°C maksimum kavşak sıcaklığı ile sıcak ortamlarda güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok