Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
TRS16N65FB,S1F(S
DODE SCHOTTKY 650V TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- TRS16N65FB
TRS16N65FB,S1F(S Hakkında
TRS16N65FB,S1F(S, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu diyot, 8A ortalama doğrultulmuş akım taşıyabilir ve 1.7V (8A'de) ileri gerilim düşüşü ile karakterize edilir. Ters toparlanma süresi olmadığı için (trr = 0 ns) anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. Maksimum 175°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında, güç kaynakları ve invertör devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 90 µA @ 650V ters sızıntı akımı özelliği düşük bekleme güç tüketimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok