Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS12E65F,S1Q
DODE SCHOTTKY 650V TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS12E
TRS12E65F,S1Q Hakkında
TRS12E65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyottur. 650V ters gerilim kapasitesine ve 12A ortalama doğrultulmuş akıma sahiptir. TO-220-2 paket tipi ile Through Hole montajına uygun olarak tasarlanmıştır. 1.7V maksimum ileri gerilime ve 90µA ters sızıntı akımına sahip bu bileşen, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, fotovoltaik sistemler ve endüstriyel elektrik uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time özelliği ile yüksek frekans uygulamalarında etkili verimlilik sağlar. Maksimum junction sıcaklığı 175°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok