Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS12E65C,S1Q
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS12E65C
TRS12E65C,S1Q Hakkında
TRS12E65C,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj yeteneği ve 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, inverterler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sağlanan bu bileşen, 1.7V @ 12A ileri voltaj düşümü ve 0ns ters kurtarma süresi ile düşük kayıplı anahtarlama sağlar. 175°C maksimum kavşak sıcaklığı çalışma aralığında güvenilir performans sunar. Silikonkarbür teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık ortamlarında tercih edilir. Bileşen artık üretilmemekte (Obsolete) olup, mevcut stoklar için veri sayfası ve teknik özellikleri referans alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 170 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok