Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TRS12A65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=12
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TRS12A65F
TRS12A65F,S1Q Hakkında
TRS12A65F,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky doğrultma diyotudur. 650V ters gerilim ve 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-2L paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, inverterler ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr: 0ns) sağlayarak daha hızlı anahtarlama ve daha düşük kayıplar elde edilir. 175°C maksimum işletme sıcaklığına ve 1.6V maksimum ileri gerilime (12A'de) sahiptir. Düşük kapasitans değeri (44pF @ 650V, 1MHz) yüksek frekans uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F-2L |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok