Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

TQM250NB06DCR RLG

60V, 30A, DUAL N-CHANNEL POWER M

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TQM250NB06DCR

TQM250NB06DCR RLG Hakkında

TQM250NB06DCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 60V/30A dual N-channel power MOSFET transistör dizisidir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (25mOhm @ 6A, 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve PWM kontrolü gereken sistemlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan kompakt tasarımı, yüksek entegrasyonlu elektronik sistemlere uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1398pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok