Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

TQM110NB04DCR RLG

40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TQM110NB04DCR

TQM110NB04DCR RLG Hakkında

TQM110NB04DCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 40V/50A dual N-channel power MOSFET'tir. Surface mount 8-PowerTDFN (5x6mm) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 11mΩ (10A, 10V'de) düşük on-state direnci ve 58W (Tc) maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Düşük gate charge (26nC) ve input capacitance (1354pF) özellikleri hızlı anahtarlama ve daha az sürücü akımı gereksinimiyle tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1354pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok