Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TPT5609-C-AP

DIODE

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TPT5609

TPT5609-C-AP Hakkında

TPT5609-C-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. Maksimum 1A kollektör akımı, 190MHz geçiş frekansı ve 750mW güç disipasyonu kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 20V collector-emitter kesim gerilimi ve 120 minimum DC akım kazancı (500mA, 2V'de) ile orta-düşük işaret seviyeleri için tasarlanmıştır. Through-hole TO-92 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Günümüzde üretimi durdurulmuş (Obsolete) olsa da, eski cihazların tamiri ve benzer karakteristikli tasarımlar için referans bileşen olarak kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 190MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 750 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok