Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TPT5609-B-AP
DIODE
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- TPT5609
TPT5609-B-AP Hakkında
TPT5609-B-AP, Micro Commercial Components (MCC) tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, through-hole monte türüdür. 1A maksimum collector akımı ve 190MHz geçiş frekansı ile orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 750mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahip bu komponent, 85 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mV doyum gerilimi ile düşük seviye sürücü devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan komponent, eski tasarımlarda ve retro elektronik projeleri için geçerli bir seçenektir. TO-92 standardı paket tipi, basit ve ekonomik tasarımlar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 80mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok