Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TPT5609-A-AP
DIODE
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- TPT5609
TPT5609-A-AP Hakkında
TPT5609-A-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 1A maksimum collector akımı, 750mW güç dağıtım kapasitesi ve 190MHz transition frequency ile orta hız uygulamalara uygundur. 20V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı (800mA, 80mA koşullarında) ile genel sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen TO-92 paketli bu transistör, endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve ses amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Cihaz artık üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 80mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok