Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TPS1120DR
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- TPS1120
TPS1120DR Hakkında
TPS1120DR, Texas Instruments tarafından üretilen dual P-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) entegresidir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde iki adet P-kanal MOSFET barındırır. 15V drain-source geriliminde 1.17A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, logic level gate kontrolü özelliğine sahiptir. 180mOhm (10V, 1.5A'da) on-resistance değeri ile güç uygulamalarında düşük ısı kaybı sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ile 150°C arası) ve 840mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (5.45nC gate charge) ve düşük threshold voltajı (1.5V @ 250µA) ile kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 840mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok