Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TPMR10J S1G
DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPMR10J
TPMR10J S1G Hakkında
TPMR10J S1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 600V ters gerilim dayanımına sahip bu bileşen, 10A ortalama doğrultulmuş akımda çalışmak üzere tasarlanmıştır. Fast recovery diyot olarak 40ns'lik düşük reverse recovery time'ı ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. TO-277A yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlamalı güç kaynakları, adaptörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok