Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TPD3215M
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- TPD3215M
TPD3215M Hakkında
TPD3215M, Transphorm tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir power FET modülüdür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 70A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Half-bridge konfigürasyonunda iki N-channel FET içeren bu modül, 34mOhm on-state direnci ve 28nC gate charge değerleri ile verimli anahtarlama özellikleri sunmaktadır. 470W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel güç dönüştürücüleri, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. Through-hole montajı destekleyen modüler yapısı, sistem entegrasyonunu kolaylaştırmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 470W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Supplier Device Package | Module |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok