Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

TPCP8901(TE85L,F,M

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
TPCP8901

TPCP8901(TE85L,F,M Hakkında

TPCP8901, Toshiba tarafından üretilen bipolar junction transistor (BJT) dizisidir. NPN ve PNP konfigürasyonlarında kullanılabilen bu transistör, maksimum 50V VCE breakdown voltajı ve 1A kollektör akımı desteği ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA/2V koşullarında 400 (NPN) ve 200 (PNP) değerlerindedir. Doyum voltajı düşük seviyelerde tutulmuştur (170-200mV). 1.48W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. Surface mount 8-SMD (Flat Lead) paketinde sunulur ve 150°C'ye kadar sıcaklık ortamında çalışabilir. Küçük sinyal işleme, sürücü devreler ve genel amplifikasyon uygulamalarında yer bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1A, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.48W
Supplier Device Package PS-8
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 170mV @ 6mA, 300mA, 200mV @ 10mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok