Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
TPC8212-H(TE12LQ,M
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
- Paket/Kılıf
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Seri / Aile Numarası
- TPC8212
TPC8212-H(TE12LQ,M Hakkında
TPC8212-H(TE12LQ,M, Toshiba tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 10V gate geriliminde 16nC gate charge ve 21mOhm RDS(on) değerleriyle verimli anahtarlama sağlar. 5.5x6.0mm SOP8 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, mikrodenetleyici çıkışları, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, 450mW maksimum güç dağıtımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok