Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TPC6503(TE85L,F,M)
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- TPC6503
TPC6503(TE85L,F,M) Hakkında
TPC6503(TE85L,F,M), Toshiba tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount uygulamalar için tasarlanmıştır. SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1.5A collector akımı, 30V collector-emitter breakdown voltajı ve 400 (minimum) DC current gain özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 1.6W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile darbe ve anahtarlama devrelerinde, amplifikatör ve sürücü uygulamalarında yer bulur. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir ve minimum 120mV saturation voltajı ile düşük kayıp devreler için uygundur. Last Time Buy statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 150mA, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 1.6 W |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 10mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok