Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TPAR3J S1G
DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPAR3J
TPAR3J S1G Hakkında
TPAR3J S1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V avalanche doğrultma diyotudur. TO-277A surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 3A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum ileri gerilim 1.55V @ 3A olup, 120ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim koruma uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu diyot, 58pF @ 4V kapasitans değerine ve 10µA @ 600V ters sızıntı akımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 58pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Avalanche |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 120 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok