Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
TPAR3D S1G
DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPAR3D
TPAR3D S1G Hakkında
TPAR3D S1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 200V reverse voltaj kapasitesine sahip bir avalanche diyotudur. 3A ortalama doğrultulmuş akım özelliğine sahip bu bileşen, fast recovery karakteristiği ile 120ns reverse recovery time sunar. TO-277A Surface Mount paketinde sunulan diyot, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 1.55V maksimum forward voltaj düşümü ve 10µA reverse leakage akımı ile güç uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kesintisiz ve güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 58pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Avalanche |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 120 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok