Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TN6719A_D75Z

TRANS NPN 300V 0.2A TO-226

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TN6719A

TN6719A_D75Z Hakkında

TN6719A_D75Z, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 300V collector-emitter aykırı gerilim ve 200mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-226-3 (TO-92-3) kılıf içinde sunulan bu transistör, 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 750mV saturasyon gerilimi ve minimum 40 DC akım kazancı (hFE) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında yer alır. Anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu bileşen artık üretimi durdurulmuş (obsolete) bir parça olup, seçici uygulamalar için arşiv depo stoklarından temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-226
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok